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eHydra

Anzündhilfe

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Beitrag 65861 [Alter Beitrag10. Januar 2005 um 16:50]

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Die OP - MOSFET Lösung ist nur für hohe Ström interessant. Bei z.B. 1 mA gehts einfacher mit einem Depletion-Mode MOSFET. Wurde wohl schon beschrieben.
Neil

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Neil

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Beitrag 65863 [Alter Beitrag10. Januar 2005 um 17:02]

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?

Ihr verwirrt mich.
Ich brauche wirklich nur 1mA. Einmal möchte ich die Konstantstromquelle vor dem Widerstand haben und einmal danach. Warum?
Ich will mir eine Weathstonsche Brückenschaltung aufbauen. In dem linken Pfad habe Rx --> Konst. I und in dem rechten Pfad Konst I. --> Rx. Da sich Rx mit der Temperatur positiv verändert, wird sich Konst. I mit der Temperatur negativ verändern. Somit bekomme ich dann ein Differenzspannung an den Mespunkten passend zur Temperatur. Diese kann ich dann mit einem OP aufmotzen zu dem was der AD-Wandler benötigt.
Ich weiß ich denke viel zu kompliziert. Es geht bestimmt auch einfacher. Aber ich habe mir das nun mal so ausgedacht und will das jetzt auch umsetzen. So aus Spaß und Lerneffekt.

Da ich jetzt keinen großen Strom brauche geht ein einfacher Transistor. Bei dem bild ein NPN und bei der gedrehten Fassung ein PNP. Richtig?

Gruß

Neil

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eHydra

Anzündhilfe

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Beitrag 65864 [Alter Beitrag10. Januar 2005 um 17:10]

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Die Schaltung ist stark temperaturabhängig! Bipolare Transistoren müßten auch gehen, hab ich noch nicht probiert bzw. durchgedacht. Einfach mal probieren, man lernt immer was...
Neil

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Neil

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Beitrag 65865 [Alter Beitrag10. Januar 2005 um 17:18]

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Hi,

die Temperaturabhänigkeit wollte ich dadurch eliminieren, das ich meine Auswertelektronik bei konstant RT halte. Nur die beiden Widerstände RX sind der Änderung ausgesetzt. Anders wird es auch kaum gehen.

Gruß

Neil

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Reinhard

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Reinhard

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Beitrag 65879 [Alter Beitrag10. Januar 2005 um 19:57]

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Hi,

Du kannst die Schaltung ganz einfach "auf den Kopf" stellen. Allerdings musst du entweder einen p-Kanal Transistor verwenden ODER die Eingänge des OPV vertauschen. Der (n-Kanal) Transistor wird, wie die Diode nicht gekippt, also Drain bleibt "oben" und Source "unten".

Zusammengefasst.
R1 und D1 vertauschen
R2 und Rx vertauschen
OP(+) und OP(-) vertauschen

Ein Eingang des OPV muss weiterhin zwischen R2 und T1 bleiben.

Den MOSFET habe ich nur deshalb vorgeschlagen, weil dann im Gegensatz zum bipolaren Transistor kein zusätzlicher Basisstrom durch R2 fließt. Dadurch wird die Berechnung etwas einfacher. Wenn R2 aber veränderbar ist, ist das auch kein Problem.


Zum Thema Temperaturstabilität:
Diesbezüglich habe ich mich aufklären lassen, das das Problem die Widerstände sind. Hochwertige Spannungsreferenzen haben hier deutlich bessere Werte als Widerstände. Vielleicht hast du ja ein Datenblatt von den Widerständen zur Hand.

Gruß
Reinhard
Neil

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Neil

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Beitrag 65882 [Alter Beitrag10. Januar 2005 um 20:21]

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Zitat:
Zusammengefasst.
R1 und D1 vertauschen
R2 und Rx vertauschen
OP(+) und OP(-) vertauschen

Ein Eingang des OPV muss weiterhin zwischen R2 und T1 bleiben.



So habe ich mir das auch gedacht, war mir nur nicht ganz sicher. Durch das verdrehen von dem O Eingängen hätte ich das NPN PNP Problem auch gelöst.
Vielleicht habe ich mich ja etwas schwer ausgedrückt mit umdrehen. Ich wollte das Teil nicht in negativem Spannungsbereich betreiben sondern einfach nur R2 und RX vertauschen.

Besten Dank an euch alle.

Ich habe aus dem Keller das alte Elektroniklabor gekramt welches wir in der Berufsschule zusammengebaut haben. Das liefert mir alle Spannungen die ich brauche. Das bedarf aber noch ein bißchen Reparatur.
Als nächsten Schritt werde ich erstmal die OP Schaltung machen und schauen das der richtig funktioniert. Dann wird schnell der Rest drumherum gebaut.

Ihr werdet auf dem laufenden gehalten.

Gruß

Neil

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