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Stefan Wimmer

Grand Master of Rocketry


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Stefan Wimmer

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Beitrag 74905 [Alter Beitrag03. Mai 2005 um 22:51]

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PARALLELGESCHALTETE ANZÜNDER??????

Schnell - bringt Knoblauch und Weihwasser!!!

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It's the Government - it doesn't have to make sense! (B. Kaplow in r.m.r)
Achim

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Achim

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Beitrag 74906 [Alter Beitrag03. Mai 2005 um 22:57]

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Gert, der Kühlkörper ist völlig unnötig. Egal wie viele Zünder du parallel schaltest, die Belastungszeit bis zum Durchbrennen liegt im Bereich von 30 ms. In der Zeit würde der Kühlkörper nicht mal merken dass was passiert ist.

Gruß,
Achim

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Der größte Feind des Erfolges ist die Perfektion
Brzelinski

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Beitrag 74929 [Alter Beitrag04. Mai 2005 um 09:19]

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Danke Achim ,das Bild das Titan Zünders macht mir Mut. Ich Probiere es.

BattelMc, entschuldige, daß ich deien Thread etwas mißbraucht habe. Ich halte mich auch jetzt zurück. Thema Relais.
FabianH

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FabianH

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Beitrag 74941 [Alter Beitrag04. Mai 2005 um 12:54]

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Kein Problem Gert! Ich habe die nur zufällig gesehen, ich werde in zukunft auch halbleiterschalter verwenden die sind recht billig und haben eine sehr hohe Belastbarkeit!
Der Thread ist nur zur Infos für diejenigen, die lieber Relais verwenden.

MfG Fabian
Rolf

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Rolf

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Beitrag 74952 [Alter Beitrag04. Mai 2005 um 17:37]

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Mit einem Wechselrelay kann man schön von Masse (kurzgeschlossen) auf +24V (oder +12) umschalten. Wie löst man das Problem mit dem Transistor? Wie hoch ist hier der Ruhewiderstand gegen Masse, damit durch Induktion keine Fehler-Ströme in der Zünderleitung entstehen können (ESD und EMV)?
LaCroix

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LaCroix

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Beitrag 75203 [Alter Beitrag09. Mai 2005 um 10:17]

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Bei 40 V Quellenspannung und Gate 0V der IRL 1004 eine "Drain to Source Leakage" von 25 µA.

Wenn du ihn auf 150° aufheizt, steigt sie auf 250µA.

Bei ~170° geht der FET drauf.

Gruß,
Thomas

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Brzelinski

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Beitrag 75205 [Alter Beitrag09. Mai 2005 um 10:54]

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Hallo Rolf,

mir ist nicht klar, was du auf 12Volt umschalten willst. Das kann man mit jedem Transistor ausreichender Leistung machn. Willst du das Gerät nur ein und Ausschalten?

Aber das geht mit einem Schalter noch immer am besten.???????

Statt dessen kannst du auch die Spanng über einen Transistor anlegen, Dann brauchst du aber eine Steuerspannung. Ich glaube, ich verstehe deine Frage nicht.
LaCroix

SP-Schnüffler


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LaCroix

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Beitrag 75208 [Alter Beitrag09. Mai 2005 um 12:04]

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Das Problem hast du mit einem FET nicht.

Im ruhezustand ist (dieser Typ!, es gibt auch "Normally Open" -Fets)) FET geschlossen. WEnn man noch die steuerleitung mit einem 100K-Widerstand mit der Masse verbindet, ist der IMMER dicht (sogennannter Pull-down-widerstand).

Wenn man jetzt an dem steuerpin irgendwas von 4,5V aufwärts ( bis zu 16V ) anlegst, staltet er 100% durch. Das ganze geht (nahezu) Stromlos, nur der 100k-widerstand zieht dabei ein wenig strom, der Stromverbrauch des FET ist kaum messbar.


Schaltung wäre:



+ --------- Zünder ---------- (2.Pin mosfet)&nbsp&nbsp&nbsp&nbsp&nbsp&nbsp(3. Pin Mosfet)--------- Masseleitung

+----------Schalter-------------(1.Pin Mosfet) -------- 100kOhm ---------Masseleitung

Gruß,
Thomas

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Reinhard

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Reinhard

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Beitrag 75210 [Alter Beitrag09. Mai 2005 um 12:07]

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Hi,

das Kurzschließen der Zünderleitungen ist kein Problem. Dazu benötigt man nur einen zweiten FET. Bei diesem muss es sich aber um einen p-Kanal Typen handeln. Dieser funktioniert wie die n-Kanal Typen, nur mit umgekehrten Spannungen. Da man aber nicht mit besonders großen Störungen rechnen wird, kann man ruhig einen kleineren verwenden.

Der Schaltungsauschnitt unten zeigt wie die Schaltung um einen p-Kanal (der obere, hell markierte; man beachte die Pfeilrichtung) erweitert wird. Wenn die Eingangsspannung 0V beträgt, wird der p-Kanal durchgesteuert (es liegen an ihm ja -12V Vgs an) und er schließt den Ausgang kurz. Liegen +12V an, wird der n-Kanal leitend und löst den Zünder aus. Spannungen zwischen 0V und 12V gefallen der Schaltung natürlich gar nicht, weil dann beide Transistoren durchsteueren. Während des (sehr kurzen) Umschaltvorganges ist das aber egal.


Falls es jemanden interessiert: Dieser Aufbau mit einem Komplementärtransistor wird (ineinander verschachtelt) in CMOS Logiken verwendet. Das ist auch der Grund wieso hochgetaktete Prozessoren mehr Strom brauchen und damit wärmer werden (als niedriger getaktete). Denn nur während des Umschaltvorganges kann Strom fließen, und der kommt bei 3GHz natürlich öfter vor, als bei 2GHz.




Bei dieser Schaltung fehlt der, von Thomas erwähnte, PullDown Widerstand. Es ist bei FET Transistoren wichtig den Eingang (das Gate) nicht "in der Luft" hängen zu lassen. Ansonsten reagiert die Schaltung auf alle möglichen Störungen.


Gruß
Reinhard

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Brzelinski

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Beitrag 75261 [Alter Beitrag10. Mai 2005 um 09:31]

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Vielen Dank Thomas und Reinhard. Ich habe wieder ein klein wenig dazugelernt.
Viele Grüße, Gert.
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